Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (6) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Petrychuk M$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Petrychuk M. V. Conducting Hybrid Nanocomposites Based on Magnetite Nanoparticles [Електронний ресурс] / M. V. Petrychuk, A. A. Pud, Yu. Noskov, S. A. Pud, V. F. Kovalenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 2. - С. 02NFC23-02NFC23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_2_25 | ||
| 2. | 
Pud S. Influence of the electrolyte on transport characteristics of ion-sensitive silicon nanowire field effect transistors [Електронний ресурс] / S. Pud, M. Petrychuk, V. Kovalenko // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка. - 2013. - Вип. 2. - С. 32-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Rte_2013_2_11 Досліджено вплив електроліту на електрофізичні властивості іонно-чутливих польових транзисторів на базі кремнієвих нанониток за допомогою шумової спектроскопії. Занурення польового транзистора на базі кремнієвих нанониток в розчин електроліту призводить до зсуву пороговоі напруги транзистора завдяки зміні потенціалу верхнього шару діелектрику. Також іони електроліту екранують вплив пасток верхнього шару діелектрику на транспорт в каналі транзистора. Для виключення контактних ефектів і підтвердження достовірності екперименту проведено вимірювання транзисторів з різною довжиною каналу. | ||
| 3. | Pud S. A. Effect of gamma radiation treatment on transport properties of silicon nanowire field effect transistors [Електронний ресурс] / S. A. Pud, M. V. Petrychuk, V. F. Kovalenko // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2013. - Вип. 4. - С. 179-182. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2013_4_38 | ||
| 4. | 
Pavlyuk S. P. Nonlinearity of Diffusion Resistors at High-density Current [Електронний ресурс] / S. P. Pavlyuk, V. I. Grygoruk, M. V. Petrychuk, V. M. Telega, S. А. Vitusevich // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04032-1-04032-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_34 Наведено результати експериментального дослідження залежності опору дифузійних резисторів (ДР) від струму, виготовлених за технологією "кремній з діелектричною ізоляцією", з різними геометричними характеристиками, зокрема, довжиною та товщиною, за густини струму до 10<^>5 | ||
| 5. | 
Rudenko R. M. Influence of carbon nanotubes on the electrical conductivity of PVDF/PANI/MWCNT nanocomposites at low temperatures [Електронний ресурс] / R. M. Rudenko, O. O. Voitsihovska, V. M. Poroshin, M. V. Petrychuk, N. A. Ogurtsov, Yu. V. Noskov, A. A. Pud // Ukrainian journal of physics. - 2022. - Vol. 67, № 2. - С. 140-148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2022_67_2_9 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |